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富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件

時(shí)間：2025-06-09 來(lái)源：本宏科技

上海，2013年07月23日 — 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?；诟皇客ò雽?dǎo)體的GaN功率器件，用戶(hù)可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運(yùn)用于家電、ICT設(shè)備和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。