日前，以技術(shù)創(chuàng)新享譽(yù)世界的精工愛(ài)普生集團(tuán)與富士通有限公司聯(lián)合發(fā)布了基于下一代鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的項(xiàng)目成果。此項(xiàng)新技術(shù)創(chuàng)建了領(lǐng)先傳統(tǒng)FeRAM 4倍的全新的高度集成化的FeRAM存儲(chǔ)器核心制程，擁有令人耳目一新的超高性能，讀/寫(xiě)速度達(dá)到傳統(tǒng)FeRAM的 3倍，并擁有卓越的可靠性，能夠進(jìn)行超過(guò)100萬(wàn)億次的讀寫(xiě)循環(huán)操作。專家指出，由于這項(xiàng)全新的鐵電制程可以加入至現(xiàn)有的CMOS邏輯電路制程之中，因此很適合用于大規(guī)模制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

作為一項(xiàng)安全存儲(chǔ)器領(lǐng)域的尖端技術(shù)，F(xiàn)eRAM受到了普遍關(guān)注，此次精工愛(ài)普生集團(tuán)聯(lián)手富士通發(fā)布的研發(fā)成果，其性能水平在全球可謂是首屈一指。據(jù)了解，早在2005年6月，雙方正式宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議之后，愛(ài)普生與富士通公司就開(kāi)始攜手致力于下一代FRAM非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)開(kāi)發(fā)，并最終取得了圓滿成功，獲得了預(yù)期的效果。

為了更好地將這一領(lǐng)先技術(shù)加以應(yīng)用，愛(ài)普生準(zhǔn)備將此項(xiàng)目成果與其所擁有的低功率CMOS技術(shù)相結(jié)合，進(jìn)一步加速其在大規(guī)模集成電路（LSI）領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程，從而用于電池驅(qū)動(dòng)式裝置和便攜式裝置的生產(chǎn)之中。而富士通公司也將基于該項(xiàng)項(xiàng)目成果繼續(xù)開(kāi)發(fā)大規(guī)模制造技術(shù)，從而使其在FeRAM適用的安全應(yīng)用市場(chǎng)上充分發(fā)揮出其低功耗和高讀/寫(xiě)速度的優(yōu)點(diǎn)外，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)內(nèi)嵌式FeRAM微控制器的新市場(chǎng)，從而進(jìn)一步滿足多元化的消費(fèi)者需求。